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单晶定向的切割方法

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单晶定向的切割方法

发布日期:2016-05-23 00:00 来源:http://www.mssx0607.com 点击:

    单晶定向在现代工业中广泛应用射线照相和计算机实时成像技术来发现工件内部存在的缺陷,分析其形成的原因的规律,评价这些缺陷对工件使用性能的影响,以便改进设计或工艺,进一步提高产品质量,降低生产成本,避免恶性事故的发生。

    各向异性是晶体的本征特性, 即晶体在不同方向上具有不同的光学、电学、力学等物理性能, 在应用时, 根据使用目的不同, 必须对晶体进行不同的定向切割. 例如, 要制作性能优异的Si 压力传感器 , 必须利用 Si 单晶在( 001) 面上的 110 方向压阻效应最大的特性, 定向切割出 Si( 001) 面, 并在此面上标出 110 方向, 在此面上, 沿着 110 方向制作电阻. AgGaSe 2 晶体. 一般采用自发成核 Bridgman 方法生长, 生长出的晶锭无明显方向特征, 要研究 AgGaSe 2 晶体对 粒子的探测性能, 必须定向切割出( 001) 面. 

    晶体定向方法很多, 如光象法 、锥光图法、劳埃定向法 以及近年来利用定向仪发展的几种快速定向法等. 光象法、锥光图法应用非常局限, 精度很差, 且无法定向切割出任意晶面. 劳埃法虽然很经典、适用性广, 但定向过程十分繁琐、费时, 对操作者要求有较丰富的经验. 利用定向仪的几种快速定向法, 具有较强的实用性, 但要定向切割出任意晶面, 其操作过程也很繁琐. 

    我们发展了一种仅需已知晶体某一晶面, 即能定向切割出所需任意晶面( 或晶向) 的方法, 定向切割操作快速、准确、简捷. 


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