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晶体定向生长的充分条件有哪些?

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晶体定向生长的充分条件有哪些?

发布日期:2017-06-22 09:20 来源:http://www.mssx0607.com 点击:

晶体定向生长是发生在固-液(或晶-液)界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态,绝大部分熔体处于过热态(温度高于Te )。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶体生长界面间的熔体为过冷熔体。且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增大。晶体的温度最低。这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的必要条件。热量由熔体经生长面传向晶体,并由其转出。

高温溶液法生长的结晶物质,须在高温下,溶于助溶剂,形成过饱和溶液。因此,助溶剂选择,溶液相关系的确定,是溶液生长晶体的先决条件。

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。

利用固体在某一有机溶剂中的溶解度,随温度的变化,有 很大的变化,使其在高温下达到饱和或接近饱和,然后缓慢冷却,析 出晶核,生长成单晶。 一般,水,DMF, DMSO,尤其是离子液体适用此方法。 条件:溶解度随温度变化比较大。 经验:高温中溶解度越大越好,完全溶解。 推广:建议大家考虑使用离子液体做溶剂,尤其是对多核或者 难溶性的配合物。


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